Слободзян Дмитро Петрович

Посада: викладач Відділення електроніки

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання: доцент

Електронна пошта: dmytro.slobodzyan@lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com.ua

Профіль у Facebook: www.facebook.com

Наукові інтереси

Еволюція дефектів в приповерхневих шарах кристалів Si під впливом зовнішніх полів.

Курси

Публікації

  1.  The role of a thin aluminum film in the reconstruction of silicon’s near-surface layers / R. Lys, B. Pavlyk, D. Slobodzyan, J. Cebulski, M. Kushlyk // Advances in Thin Films, Nanostructured Materials, and Coatings. – 2019. –  P. 189–196.
  2. Electroluminescence energy efficiency of Si-structures with different compound of nanoscale dislocation complexes / D. Slobodzyan, M. Kushlyk, B.Pavlyk // Applied Nanoscience. – 2019. – Vol. 9, №5. – P. 865-871.
  3.  Radiation-Stimulated Changes in the Characteristics of Surface-Barrier Al–Si–Bi Structures with Different Concentrations of Dislocations at the Crystal Surface / B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matvijishyn, R. Lys, M. Jałbrzykowski // Acta mechanica et automatica. – Vol.12,№1. – 2018. – P. 72-77
  4.  Origin of dislocation luminescence centers and their reorganization in p-type silicon crystal subjected to plastic deformation and high temperature annealing / B.V. Pavlyk, M.O. Kushlyk, D.P. Slobodzyan // Nanoscale Research Letters. – 2017. – 12, 358. – P. 1-8
  5. Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики / Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик // Журнал Нано- та Електронної Фізики. – 2015. – Т.7, №4. – 04051-1 – 04051-5
  6. Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу / Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян // Журнал Нано- та Електронної Фізики. – 2015. – Т.7, №3. – 03043-1-03041-5
  7. Дослідження Х-стимульованої еволюції дефектів у кристалах p-Si методом ємнісно-модуляційної спектроскопії / Б.В. Павлик, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Журнал Фізичних Досліджень. – 2014. – Т.18, №4. – С. 4601-1-4601-7
  8. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу, з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації / Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик, Б.Я. Кулик // Український Фізичний Журнал. – 2013. – Т.58, №8. – С. 743-748
  9. Quality of the p-Si crystal surface and radiation-stimulated changes in the characteristics of Bi-Si-Al surface-barrier structures / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, A.S. Hrypa, R.M. Lys, M.O. Kushlyk, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Semiconductors. – 2012. – Vol.46, №8. – P. 993-997
  10. The Effect of a Magnetic Field on Electrical Properties of Surface-Barrier Bi-Si-Al Structures / B.V. Pavlyk, A.S. Hrypa, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Semiconductors. – 2011. – Vol.45, No.5. – P. 599 – 602

Біографія

Народився 8 листопада 1985 року в с. Безброди Буського р-ну Львівської обл. У 2003 році закінчив Буську гімназію імені Євгена Петрушевича при Львівському національному університеті імені Івана Франка. У 2008 році закінчив Львівський національний університет. Здобув кваліфікацію “Магістр електроніки”. В період з серпня 2008 по грудень 2011 року працював на посаді інженера науково-дослідної частини НДЛ-20 кафедри електроніки. З січня 2012 зарахований на посаду інженера кафедри електроніки  Львівського національного університету імені Івана Франка. З вересня 2012 по квітень 2015 року працював на посаді асистента кафедри електроніки за сумісництвом. У 2014 році захистив дисертацію на тему “Еволюція структурних дефектів у приповерхневому шарі бар’єрних структур на основі p-Si, стимульована дією зовнішніх факторів” та отримав науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук зі спеціальності “Фізика напівпровідників і діелектриків”. У червні 2015 р. обраний по конкурсу на посаду асистента кафедри електроніки терміном на п’ять років. У червні 2017 р. обраний по конкурсу на посаду доцента кафедри сенсорної та напівпровідникової  електроніки терміном на п’ять років.

Проекти

  1. Проект МОН України СЕ-42 Нр “Наноструктуровані та полікристалічні РЗМ-вмісні матеріали для сцинтиляторів, сенсорів та енергоощадних технологій” (№ держреєстрації0116U008069), 2016-2018 рр.
  2. Проект МОН України СЕ-65 Нр «Модифікація сенсорних властивостей кремнієвих структур та РЗМ-вмісних матеріалів на основі оксидів і халькогенідів» (№ держреєстрації 0117U007189), 2017-2020 рр.

Нагороди

Премія Львівської обласної державної адміністрації і Львівської обласної ради для молодих учених і дослідників наукових установ та закладів вищої освіти (університетів, академій, інститутів) Львівської області (2019 р.).

Розклад