Парандій Петро Петрович

Посада: викладач Відділення комп’ютерних наук

Електронна пошта: petro.parandiy@lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com

Наукові інтереси

Наноелектроніка, кремнієві наноструктури, обробка інформації.

Публікації

  1. Liubomyr S. Monastyrskii, Volodymyr P. Savchyn, Peter P. Parandiy. Photosensitivity of porous silicon based heterostructures. Proc. SPIE. 2000. V.4355 Pp.67-72. doi: 10.1117/12.417763
  2.  L.S. Monastyrskii, I.B. Olenych, P.P. Parandiy. Luminescence of porous silicon and porous silicon encapsulated structures // Optica Applicata. –2000.-Vol.XXX, No4. – P.641-646.
  3.  L. Monastyrskii, P.Parandii, M.Panasiuk, I.Olenych. Photovoltaic Effect in Porous Silicon Heterostructures. Proceedings of SPIE Vol. 4425 (2000). Pp.347-350.
  4. Л.С. Монастирський, І.І. Булик, І.Б. Оленич, П.П. Парандій, А.М. Брода. Ефекти наводнення в поруватому кремнії. Вісник Чернівецького держуніверситету, “Фізика. Електроніка” (2000). Випуск 92. С.73-76.
  5.  Liubomyr S. Monastyrskii, Roman M. Kovtun, Petro P. Parandiy, S. O. Kostukevich. Peculiarities of heterostructures made on the base of porous silicon and their physical properties. Proceedings of SPIE. Vol. 4293 (2001). Pp. 181-184. DOI: 10.1117/12.426936
  6. L. Monastyrskii, I. Olenych, P. Parandiy. Numerical modeling of the pulse heat-transfer and impurities diffusion under mechanical stresses in semiconductor crystals. Journal of Crystal Growth Volume 230, Issues 1–2, August 2001, Pages 314-317. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)01350-1
  7. Olenych I.B., Monastyrskii L.S., Parandiy P.P. Nanosized porous silicon forming peculiaritites and elecro-physical properties // Нові технології.-2004.- №1-2.- С.150-153.
  8. Парандій П.П., Курляк В.Ю., Лучечко А.П. Спектроскопічні та електрофізичні властивості електрохімічно модифікованого кремнію / Парандій П.П., Курляк В.Ю., Лучечко А.П. // Вісн. Льв. ун-ту. Сер.фіз. Вип. 44. – 2009. – С. 241-248.
  9. L.S. Monastyrskii, B.S. Sokolovskii, M.R. Pavlyk, P.P. Parandii. Modeling of Photoconductivity of Porous Silicon. Advances in OptoElectronics 2011. -V.2011. – Article ID 896962 (4 pages)
  10. Л. Топоровська, Б. Турко, П. Парандій, Р. Серкіз, В. Капустяник, М. Рудко Фотокаталітичні властивості нанокомпозитного фотокаталізатора на основі ZnO і поруватого кремнію. Журнал фізичних досліджень. – 2018. – Т. 22, № 1. – С. 1601-1-1601-4. DOI: 10.30970/jps.22.1601
  11.  P. Parandiy N. Pelypets V. Rabyk V. Goshovskiy. Microprocessor System for Electrical Properties Measuring of Porous Silicon Based Sensors. January 2018 DOI: 10.30970/elit2018.B17 12. Peter Parandiy L. Monastyrskii. Investigation of porous silicon photoconductive structures. January 2018. DOI: 10.30970/eli.10.12 13. Peter Parandiy R. Yaremyk. Electrical impedance analyzer of sensor converters based on porous silicon. January 2019. DOI: 10.30970/eli.12.10
  12. Топоровська Л.Р., Турко Б.І., Парандій П.П., Серкіз Р.Я., Спосіб отримання композитного фотокаталізатора. Патент на корисну модель № 122252 від 26.12.2017. Бюл. № 24.
  13. Бабич О.Й., Галій П.В., Парандій П.П. Функціональна мікроелектроніка: навч. посібник / О.Й. Бабич, П.В. Галій, П.П. Парандій.–Львів: Львівський національний університет ім. І. Франка, 2014.–176 с.

 

Біографія

Фізик-оптик. Закінчив фізичний факультет Львівського державного університету (1999), аспірантуру (2002). З 2002 лаборант кафедри радіоелектронного матеріалознавства, з 2003 завідувач лабораторії кафедри радіоелектронного матеріалознавства факультету електроніки, з 2016 завідувач лабораторії кафедри радіоелектронного матеріалознавства факультету електроніки та комп’ютерних технологій Львівського національного університету. Наукові інтереси: наноелектроніка, кремнієві наноструктури, обробка інформації. Понад 40 праць. З вересня 2019 р. –  викладач Природничого коледжу.

Розклад