Слободзян Дмитро Петрович

Посада: викладач Відділення електроніки

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Наукові інтереси

Еволюція дефектів в приповерхневих шарах кристалів Si під впливом зовнішніх полів

Курси

Публікації

1. Павлик Б., Лис Р., Грипа А., Слободзян Д., Дідик Р., Шикоряк Й. Вплив магнетного поля на електрофізичні характеристики поверхнево-бар’єрних структур Bi-Si-Al // Металлофизические новейшие технологии. 2009. Т. 31,№ 9. С. 1169-1178

2. Павлык Б., Слободзян Д., Лыс Р., Грыпа А.С., Дидык Р., Шикоряк Й. Влияние магнитного поля на электрофизические свойства поверхстносно-барьерных структур Bi-Si-Al // ФТП. 2011. Т.45, Вып.5. С.608-611.

 3. Павлык Б., Слободзян Д., Грыпа А., Лыс Р., Кушлык М., Шикоряк И., Дидык Р. Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные измененияхарактеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al // ФТП. 2012. Т.46, Вып.8. С.1017-1021.

Біографія

Дата та місце народження: 08.11.1985 р., с. Безброди, Буський р-н, Львівська обл.
Основні дати: Закінчив  факультет  електроніки Львівського національного університету імені Івана Франка (2008). Працював інженером НДЛ-20 з 2008 р. по 2011 р. З 2011 р.  по 2012 р. працював інженером кафедри електроніки. З 2012 р. по сьогоднішній день асистент кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки. В 2013 р. отримав науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук.

Розклад