Слободзян Дмитро Петрович

Посада: викладач Відділення електроніки

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Наукові інтереси

Еволюція дефектів в приповерхневих шарах кристалів Si під впливом зовнішніх полів

Курси

Публікації

1. Павлик Б., Лис Р., Грипа А., Слободзян Д., Дідик Р., Шикоряк Й. Вплив магнетного поля на електрофізичні характеристики поверхнево-бар’єрних структур Bi-Si-Al // Металлофизические новейшие технологии. – 2009. – Т. 31,№ 9. – С. 1169-1178.

2. Павлык Б., Слободзян Д., Лыс Р., Грыпа А.С., Дидык Р., Шикоряк Й. Влияние магнитного поля на электрофизические свойства поверхстносно-барьерных структур Bi-Si-Al // ФТП. – 2011. – Т.45, Вып.5. – С. 608-611.

 3. Павлык Б., Слободзян Д., Грыпа А., Лыс Р., Кушлык М., Шикоряк И., Дидык Р. Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные измененияхарактеристик поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al // ФТП. – 2012. – Т.46, Вып.8. – С.1017-1021.

Біографія

Народився 08.11.1985 р. у с. Безброди, Буського р-ну, Львівська області. Закінчив  факультет  електроніки Львівського національного університету імені Івана Франка (2008). Працював інженером НДЛ-20 з 2008 р. по 2011 р. З 2011 р.  по 2012 р. працював інженером кафедри електроніки. З 2012 р. по сьогоднішній день асистент кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки. В 2013 р. отримав науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук.

Розклад